三菱IPM模塊PM75EHS060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中，PM75EHS060，IGBT是GTR和MOSFET的復合，由MOSFET驅動GTR，因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。

三菱IPM模塊PM75RVA060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中，PM75RVA060，IGBT是GTR和MOSFET的復合，由MOSFET驅動GTR，因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。

三菱IPM模塊PM75CSE060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中，PM75CSE060，IGBT是GTR和MOSFET的復合，由MOSFET驅動GTR，因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。

三菱IPM模塊PM75RSE060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中，PM75RSE060，IGBT是GTR和MOSFET的復合，由MOSFET驅動GTR，因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。

三菱IPM模塊PM75CSD060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中，PM75CSD060，IGBT是GTR和MOSFET的復合，由MOSFET驅動GTR，因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。

三菱IPM模塊PM75RSD060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中，PM75RSD060，IGBT是GTR和MOSFET的復合，由MOSFET驅動GTR，因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。

三菱IPM模塊PM75CBS060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中，PM75CBS060，IGBT是GTR和MOSFET的復合，由MOSFET驅動GTR，因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。

三菱IPM模塊PM50RLA060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中，PM50RLA060，IGBT是GTR和MOSFET的復合，由MOSFET驅動GTR，因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。