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    • PM15RSF060三菱IPM模塊PM15RSF060

      三菱IPM模塊PM15RSF060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中,IGBT是GTR和MOSFET的復合,由MOSFET驅動GTR,因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。PM15RSF060

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    • PM15CTM060-3三菱IPM模塊PM15CTM060-3

      三菱IPM模塊PM15CTM060-3,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中,IGBT是GTR和MOSFET的復合,由MOSFET驅動GTR,因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。PM15CTM060-3

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    • PM15CTM060三菱IPM模塊PM15CTM060

      三菱IPM模塊PM15CTM060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中,IGBT是GTR和MOSFET的復合,由MOSFET驅動GTR,因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。小功率的IPM使用多層環氧絕緣系統,

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    • PM15CEG060三菱IPM模塊PM15CEG060

      三菱IPM模塊PM15CEG060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中,IGBT是GTR和MOSFET的復合,由MOSFET驅動GTR,因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。小功率的IPM使用多層環氧絕緣系統,

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    • PM20CTM060-01三菱IPM模塊PM20CTM060-01

      三菱IPM模塊PM20CTM060-,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中,IGBT是GTR和MOSFET的復合,由MOSFET驅動GTR,因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。小功率的IPM使用多層環氧絕緣系統,

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    • PM15CEE060三菱IPM模塊PM15CEE060

      三菱IPM模塊PM15CEE060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中,IGBT是GTR和MOSFET的復合,由MOSFET驅動GTR,因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。小功率的IPM使用多層環氧絕緣系統,

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    • PM15CMA060三菱IPM模塊PM15CMA060

      三菱IPM模塊PM15CMA060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中,IGBT是GTR和MOSFET的復合,由MOSFET驅動GTR,因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。小功率的IPM使用多層環氧絕緣系統,

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    • PM15CNA060三菱IPM模塊PM15CNA060

      三菱IPM模塊PM15CNA060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中,IGBT是GTR和MOSFET的復合,由MOSFET驅動GTR,因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。小功率的IPM使用多層環氧絕緣系統,

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