日产国产欧美视频一区精品,亚洲欧美日韩成人一区在线,狠狠狠狼鲁欧美综合网免费

產(chǎn)品分類(lèi)

Cassification

IPM智能功率模塊

賽米控/西門(mén)康IPM模塊東芝IPM模塊富士IPM模塊三菱IPM模塊

查看全部產(chǎn)品 >>

相關(guān)文章

Articles

產(chǎn)品展示/ Product display

您的位置：首頁(yè) / 產(chǎn)品展示 / IPM智能功率模塊 / 三菱IPM模塊

PM30CMA060三菱IPM模塊PM30CMA060

三菱IPM模塊PM30CMA060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成其中，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類(lèi):H型(內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT)。PM30CMA060

更新時(shí)間
2024-01-19

廠商性質(zhì)
經(jīng)銷(xiāo)商

瀏覽量
3668
PM30CTJ060三菱IPM模塊PM30CTJ060

三菱IPM模塊PM30CTJ060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成其中，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類(lèi):H型(內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT)。PM30CTJ060

更新時(shí)間
2024-01-19

廠商性質(zhì)
經(jīng)銷(xiāo)商

瀏覽量
4532
PM30CNJ060三菱IPM模塊PM30CNJ060

三菱IPM模塊PM30CNJ060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成其中，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類(lèi):H型(內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT)。PM30CNJ060

更新時(shí)間
2024-01-19

廠商性質(zhì)
經(jīng)銷(xiāo)商

瀏覽量
3804
PM20CVL060-33三菱IPM模塊PM20CVL060-33

三菱IPM模塊PM20CVL060-33，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成其中，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類(lèi):H型(內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT)。PM20CVL060-33

更新時(shí)間
2024-01-19

廠商性質(zhì)
經(jīng)銷(xiāo)商

瀏覽量
3785
PM20CTM060-3三菱IPM模塊PM20CTM060-3

三菱IPM模塊PM20CTM060-3，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成其中，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類(lèi):H型(內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT)。PM20CTM060-3

更新時(shí)間
2024-01-19

廠商性質(zhì)
經(jīng)銷(xiāo)商

瀏覽量
4415
PM20CUL060-32L三菱IPM模塊PM20CUL060-32L

三菱IPM模塊PM20CUL060-32L，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成其中，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類(lèi):H型(內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT)。PM20CUL060-32L

更新時(shí)間
2024-01-19

廠商性質(zhì)
經(jīng)銷(xiāo)商

瀏覽量
3820
PM20CHA060三菱IPM模塊PM20CHA060

三菱IPM模塊PM20CHA060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成其中，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類(lèi):H型(內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT)。PM20CHA060

更新時(shí)間
2024-01-19

廠商性質(zhì)
經(jīng)銷(xiāo)商

瀏覽量
4575
PM20CNJ060三菱IPM模塊PM20CNJ060

三菱IPM模塊PM20CNJ060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成其中，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類(lèi):H型(內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT)。PM20CNJ060

更新時(shí)間
2024-01-19

廠商性質(zhì)
經(jīng)銷(xiāo)商

瀏覽量
3748

共 112 條記錄，當(dāng)前 11 / 14 頁(yè) 首頁(yè) 上一頁(yè) 下一頁(yè) 末頁(yè) 跳轉(zhuǎn)到第頁(yè)