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    • igbt模塊CM75YE13-12F安川變頻器IGBT模塊CM75YE13-12F

      CM75YE13-12F北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷售三菱IGBT模塊CM75YE13-12F IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,

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    • igbt模塊CM150YE4-12F安川變頻器IGBT模塊CM150YE4-12F

      CM150YE4-12F北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷售三菱IGBT模塊CM150YE4-12F IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,

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    • igbt模塊CM110YE4-12F安川變頻器IGBT模塊CM110YE4-12F

      CM110YE4-12F北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷售三菱IGBT模塊CM110YE4-12F IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,

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    • igbt模塊CM165YE4-12F安川變頻器IGBT模塊CM165YE4-12F

      CM165YE4-12F北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷售三菱IGBT模塊CM165YE4-12F IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,

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    • igbt模塊CM300E2U-12H三菱igbt斬波模塊CM300E2U-12H

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    • igbt模塊CM300E3Y-12E三菱igbt斬波模塊CM300E3Y-12E

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    • igbt模塊CM200E3U-12E三菱igbt斬波模塊CM200E3U-12E

      CM200E3U-12E北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷售三菱IGBT模塊CM200E3U-12E IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,

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