三菱CM1200E4C-34N北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷售三菱IGBT模塊CM1200E4C-34N；IGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，

三菱CM900DU-24NF北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷售三菱IGBT模塊CM900DU-24NF；IGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，

三菱CM300DY-28H北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷售三菱IGBT模塊CM300DY-28H；IGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，

三菱CM400DY-34A北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷售三菱IGBT模塊CM400DY-34A；IGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，

三菱CM400DY-34H北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷售三菱IGBT模塊CM400DY-34H；IGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，

三菱CM400DU-34KA北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷售三菱IGBT模塊CM400DU-34KA；IGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，

三菱CM400DY-50HH北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷售三菱IGBT模塊CM400DY-50H；IGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，

三菱CM400DY-66H北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷售三菱IGBT模塊CM400DY-66H；IGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，