富士IGBT功率模塊7BMR20SC060，北京京誠宏泰科技有限公司銷售7BMR20SC060。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，

7BMR20SC060 7BMR30SC060富士IGBT功率模塊7BMR20SC060

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富士IPM（逆變+驅動+保護）：
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