IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小

北京京誠宏泰科技原裝正品現貨供應三菱IGBT模塊CM100E3U-12H 

MITSUBISHI IGBT MODULES

CM100E3U-12H 產品特點：

• Low Drive Power
• Low VCE(sat)
• Discrete Super-Fast Recovery Free-Wheel Diode
• High Frequency Operation
• Isolated Baseplate for Easy Heat Sinking

三菱推出開關頻率20～ 60KHz的NFH及NFM系列IGBT，

應用于逆變焊機及醫療儀器 特征：

● 采用快速關斷CSTBT硅片，目標開關頻率20～ 60KHz

● 低電感封裝技術

● 耐功率循環能力強（High Power Cycle）

● 寬范圍的額定電流等級: 100A～400A/600V，100A～ 600A / 1200V

三菱IGBT模塊目標應用：

● 醫療儀器，如 CT 和 MRI

● 逆變焊機

● 電信用UPS

CM100E3U-12H 產品參數：

VCES=600V   IC=100A

CM50E3Y-12E

CM50E3U-12E 
CM75E3U-12E

CM75E3Y-12E
CM100E3U-12E

CM100E3Y-12E 
CM150E3Y-12E

CM150E3U-12E 
CM200E3Y-12E

CM200E3U-12E
CM300E3Y-12E

CM300E3U-12E 
CM300E2U-12H

CM400YE2P-12F 
CM400YE2N-12F

CM300YE2N-12F 
CM300YE2P-12F

CM600YE2N-12F 
CM600YE2P-12F

CM110YE4-12F
CM150YE4-12F

CM165YE4-12F 
CM200YE4-12F