IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小

北京京誠宏泰科技原裝正品現貨銷售英飛凌IGBT斬波模塊DF400R12KE3

VCES=1200V  IC=400A

62mmC series module with trench/field stop IGBT3 and Emitter Controlled High Efficiency diode

英飛凌IGBT斬波模塊系列型號：

FD300R06KE3 in production AG-62MM-1 300.0 A 1.45 V Chopper Modules IGBT³ 62 mm 

FD600R06ME3_S2 in production AG-ECONOD-3 600.0 A 1.3 V Chopper Modules IGBT³ EconoDUAL™ 3 

FD600R12KF4 in production A-IHM130-2 600.0 A 2.7 V Chopper Modules IGBT² Standard IHM 130 mm 

FD200R12KE3 in production AG-62MM-1 200.0 A 1.7 V Chopper Modules IGBT³ 62 mm 

DF200R12KE3 in production AG-62MM-2 200.0 A 1.7 V Chopper Modules IGBT³ 62 mm 

FD300R12KE3 in production AG-62MM-1 300.0 A 1.7 V Chopper Modules IGBT³ 62 mm 

DF300R12KE3 in production AG-62MM-2 300.0 A 1.7 V Chopper Modules IGBT³ 62 mm 

FD400R12KE3 in production AG-62MM-1 400.0 A 1.7 V Chopper Modules IGBT³ 62 mm 

DF400R12KE3 in production AG-62MM-2 400.0 A 1.7 V Chopper Modules IGBT³ 62 mm