IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小

北京京誠宏泰科技原裝正品銷售三菱HVIGBT模塊CM800E6C-66H

3rd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules

IC...................................................................800A
VCES ....................................................... 3300V
Insulated Type
1-element in a Pack (for brake)
AISiC Baseplate

       CM800E2C-66H  CM800E4C-66H

　　CM800E6C-66H  CM400HG-66H

　　CM1200HG-66H  CM400HB-90H

　　CM600HB-90H   CM900HB-90H

　　CM600HG-130H

IGBT模塊以其驅動電路的小型化、系統的輕型和效率化，使用于電氣鐵路和大型產業機器等需要高耐壓、大電流的功率電子設備，正在取代已往使用的晶閘管、GTO。推出HV（High Voltage）IGBT模塊產品陣容。

特長

• 采用平面IGBT
• 采用軟恢復二極管
• AlSiC基板
• 高絕緣包裝（Viso 10.2kV,AC 1min）也是產品陣容
• 工作溫度范圍的擴大

主要用途

變換器裝置 / 換流器裝置 / DC斬波器裝置