3300V IHV B 190mIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小

留言框

• 產(chǎn)品：

• 您的單位：

• 您的姓名：

• 聯(lián)系電話：

• 常用郵箱：

• 省份：

  請(qǐng)選擇您所在的省份 安徽 北京 福建 甘肅 廣東 廣西 貴州 海南 河北 河南 黑龍江 湖北 湖南 吉林 江蘇 江西 遼寧 內(nèi)蒙古 寧夏 青海 山東 山西 陜西 上海 四川 天津 新疆 西藏 云南 浙江 重慶 香港 澳門 中國臺(tái)灣 國外

• 詳細(xì)地址：

• 補(bǔ)充說明：

• 驗(yàn)證碼：

  

  請(qǐng)輸入計(jì)算結(jié)果（填寫阿拉伯?dāng)?shù)字），如：三加四=7