CM200DU-24H三菱IGBT模塊廣泛使用在什么應用當中

更新時間：2018-01-17

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　　CM200DU-24H三菱IGBT模塊的電壓規格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關。其相互關系見下表。使用中當IGBT模塊集電極電流增大時，所產生的額定損耗亦變大。同時，開關損耗增大，使原件發熱加劇，因此，選用CM200DU-24H三菱IGBT模塊時額定電流應大于負載電流。特別是用作高頻開關時，由于開關損耗增大，發熱加劇，選用時應該降等使用。

　　CM200DU-24H三菱IGBT模塊發展趨向是高耐壓、大電流、高速度、低壓降、高可靠、低成本為目標的，特別是發展高壓變頻器的應用，簡化其主電路，減少使用器件，提高可靠性，降低制造成本，簡化調試工作等，都與IGBT有密切的內在，所以世界各大器件公司都在奮力研究、開發，予估近2-3年內，會有突破性的進展。目今已有適用于高壓變頻器的有電壓型HV-IGBT，IGCT，電流型SGCT等。

　　CM200DU-24H三菱IGBT模塊正是作為順應這種要求而開發的，它是由MOSFET和PNP晶體管復合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅動功率小和開關速度快的特點，又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點，頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十KHz頻率范圍內。基于這些優異的特性，CM200DU-24H三菱IGBT模塊一直廣泛使用在超過300V電壓的應用中，模塊化的IGBT可以滿足更高的電流傳導要求，其應用領域不斷提高，今后將有更大的發展。

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