IGBT的損耗主要由通態損態和開關損耗組成，不同的開關頻率，開關損耗和通態損耗所占的比例不同。而決定IGBT通態損耗的飽和壓降VCE(sat)和決定IGBT開關損耗的開關時間（ton，toff）又是一對矛盾，因此應根據不同的開關頻率來選擇不同特征的IGBT。在低頻如fk北京英飛凌IGBT模塊。對于英飛凌產品需選用后綴為“KE3”或“DLC”系列IGBT；但北京英飛凌IGBT模塊后綴為“KT3”系列飽和壓降與“KE3”系列飽和壓降相近，“KT3”比“KE3”開關損耗降低20％左...

由于北京英飛凌IGBT模塊為MOSFET結構，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達到20～30V。因此因靜電而導致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點：在使用模塊時，盡量不要用手觸摸驅動端子部分，當必須要觸摸模塊端子時，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后，再觸摸；在用導電材料連接模塊驅動端子時，在配線未接好之前請先不要接上模塊；盡量在底板良好接地的情況下操作。在應用中有時雖然保證了柵極驅動電壓...

北京英飛凌IGBT模塊絕緣柵雙極型晶體管（InsulatedGateBipolarTransistor）,它是八十年代初誕生，九十年代迅速發展起來的新型復合器件。英飛凌IGBT模塊將MOSFET與GTR的優點集于一身，既有輸入阻抗高、速度快、熱穩定性好、電壓驅動型，又具有通態壓降低、高電壓、大電流的優點。接下來小編將以英飛凌IGBT模塊為例，為大家簡單介紹一下關于北京英飛凌IGBT模塊選型、保存以及使用的相關信息！1、北京英飛凌IGBT模塊的選型要點：英飛凌模塊選型的電壓規格...

北京英飛凌IGBT模塊是絕緣柵雙極型晶體管(IsolatedGateBipolarTransistor),它是八十年代初誕生，九十年代迅速發展起來的新型復合電力電子器件。IGBT將MOSFET與GTR的優點集于一身，既有輸入阻抗高、速度快、熱穩定性好、電壓驅動型，又具有通態壓降低、高電壓、大電流的優點。功率從五千瓦到幾百千瓦的應用場合。IGBT器件將不斷開拓新的應用領域，為節能、為新能源、工業自動化(高頻電焊機,高頻超聲波,逆變器,斬波器,UPS/EPS,感應加熱)提供了新的...

CM200DU-24H三菱IGBT模塊，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。CM200DU-24H三菱IGBT模塊非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電...

1引言IGBT是MOSFET與雙極晶體管的復合器件。它既有MOSFET易驅動的特點，又具有功率晶體管電壓、電流容量大等優點。其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內，故在較高頻率的大、中功率應用中占據了主導地位。IGBT是電壓控制型器件，在它的柵極-發射極間施加十幾V的直流電壓，只有μ*的漏電流流過，基本上不消耗功率。但IGBT的柵極-發射極間存在著較大的寄生電容（幾千至上萬pF），在驅動脈沖電壓的上升及下降沿需要提供數A的充放電電流，才能...

北京英飛凌IGBT模塊判斷極性首先將萬用表撥在R×1KΩ擋，用萬用表測量時，若某一極與其它兩極阻值為無窮大，調換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無窮大，則判斷此極為柵極(G)其余兩極再用萬用表測量，若測得阻值為無窮大，調換表筆后測量阻值較小。在測量阻值較小的一次中，則判斷紅表筆接的為集電極(C);黑表筆接的為發射極(E)。北京英飛凌IGBT模塊判斷好壞將萬用表撥在R×10KΩ擋，用黑表筆接三菱IGBT的集電極(C)，紅表筆接IGBT的發射極(E)，此時萬用表的指針在零位。用手指...

可控硅元件的主要弱點是承受過電流和過電壓的能力很差，即使短時間的過流和過電壓，也可能導致可控硅的損壞，所以必須對它采用適當的保護措施。1.過電流保護可控硅出現過電流的主要原因是過載、短路和誤觸發。過電流保護有以下三種：*種是快速容斷器：快速容斷器中的溶絲是銀質的，只要選用適當，在同樣的過電流倍數下，它可以在可控硅損壞前先溶斷，從而保護了晶閘管。第二種是過電流繼電器：當電流超過過電流繼電器的整定值時，過電流繼電器就會動作，切斷保護電路。但由于繼電器動作到切斷電路需要一定時間，所...

三相整流橋分為三相全波整流橋（全橋）和三相半波整流橋（半橋）兩種。選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。對輸出電壓要求高的整流電路需要裝電容器，對輸出電壓要求不高的整流電路的電容器可裝可不裝。整流這一個術語，它是通過二極管的單向導通原理來完成工作的，通俗的來說二極管它是正向導通和反向截止，也就是說，二極管只允許它的正極進正電和負極進負電。二極管只允許電流單向通過，所以將其接入交流電路時它能使電路中的電流只按單向流動，即所謂“整流”，用兩只管是半潑整流，四只是全潑整流。三相整流橋...

三相整流橋的引腳采用純金電鍍，進一步增強了引腳的導電、導熱和抗氧化性能，并且增加了它的可焊性和焊接度。采用新型鋁基覆銅板結構，芯片直接焊在鋁基覆銅板上，橋堆工作時，芯片通電所產生的熱量直接由鋁基板迅速傳給散熱器（熱阻比老結構的MT3516要小很多）。因此大大降低了橋堆自身的殼溫，從面提高了橋堆的實際工作效率和可靠性及使用壽命。三相整流橋模塊化結構提高了產品的密集性、安全性和可靠性，同時也可降低裝置的生產成本，縮短新產品進入市場的周期，提高企業的市場競爭力。且模塊的主電子、控制...

目前，恒溫干燥箱廣泛應用于工業、農業、醫療、高校及科研行業中。而2O世紀9O年代前生產的恒溫干燥箱，很多控制電路是由522型直流繼電器、6P1電子管、溫控調節器（或電節點溫度計）、轉換開關及變壓器等組成的，如NXG101一I（202一I）型、NXG101一Ⅲ（202一Ⅲ）型、CS一101型及101型等恒溫干燥箱。但恒溫干燥箱使用時間一長，必然會有損壞現象發生。而恒溫干燥箱的損壞其實基本上是控制電路的損壞。當上述型號的恒溫干燥箱一旦損壞時，往往因522型直流繼電器、6P1或6P...

生產廠家對IGBT模塊提供的安全工作區有嚴格的限制條件，且IGBT模塊承受過電流的時間僅為幾微秒，耐過流量小，因此使用IGBT模塊首要注意的是過流保護。產生過流的原因大致有：晶體管或二極管損壞、控制與驅動電路故障或干擾等引起誤動、輸出線接錯或絕緣損壞等形成短路、輸出端對地短路與電機絕緣損壞、逆變橋的橋臂短路等。對IGBT模塊的過流檢測保護分兩種情況：(1)、驅動電路中無保護功能。這時在主電路中要設置過流檢測器件。對于小容量變頻器，一般是把電阻R直接串接在主電路中，通過電阻兩端...

高壓可控硅軟起動器是一種集軟起動和多種保護功能于一體的新型高壓電機軟起動裝置。它不僅僅能在整個的起動過程中平滑地起動電機，而且可以根據電動機的負載的特性來調節起動過程中的參數，并且它的結構簡單、價格低廉、工作可靠，因此在各個生產領域中得到了越來越廣泛的應用。在高壓可控硅軟起動裝置中，如果選取額定電流太大的高壓可控硅，則沒有充分利用高壓可控硅的性能，并且裝置成本太高；如果選取額定電流太小的高壓可控硅，則裝置運行不可靠，嚴重時會燒毀高壓可控硅。因此，高壓可控硅額定電流的選擇非常關...

可控硅模塊屬于功率器件領域，是一種功率半導體開關元件，又叫做晶閘管，可控硅是簡稱。按其工作特性，可控硅可分為單向可控硅(SCR)和雙向可控硅(TRIAC)。可控硅也稱作晶閘管，它是由PNPN四層半導體構成的元件，有三個電極、陽極A、陰極K和控制極G。可控硅在電路中能夠實現交流電的無觸點控制，以小電流控制大電流，并且不象繼電器那樣控制時有火花產生，且動作快、壽命長、可靠性好。在調速、調光、調壓、調溫以及其他各種控制電路中都有可控硅的身影。可控硅分為單向的和雙向的，符號也不同。單...

IGBT模塊散熱技術散熱的過程1IGBT在結上發生功率損耗;2結上的溫度傳導到IGBT模塊殼上;3IGBT模塊上的熱傳導散熱器上;4散熱器上的熱傳導到空氣中。散熱環節影響散熱程度影響因數解決辦法1總發熱功率zui主要因數運行電流電壓改變電壓電流開關頻率2結殼熱阻次要模塊工藝3殼到散熱器熱阻次要散熱器材料粘貼材料4散熱器到環境熱阻zui要散熱方式散熱材料散熱方式散熱材料如果IGBT模塊一定時，IGBT結殼之間的熱阻一定，IGBT殼與散熱器的熱阻與散熱器材料和接觸程度兩個方面有關...

晶閘管是晶體閘流管的簡稱，又可稱做可控硅整流器，以前被簡稱為可控硅；1957年美國通用電器公司開發出世界上*晶閘管產品，并于1958年使其商業化；晶閘管是PNPN四層半導體結構，它有三個極：陽極，陰極和門極；晶閘管工作條件為：加正向電壓且門極有觸發電流；其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管，逆導晶閘管，光控晶閘管等。它是一種大功率開關型半導體器件，在電路中用文字符號為“V”、“VT”表示。晶閘管屬于硅元件，很多人也稱它為“可控硅”。硅元件的普遍特性是過載能力差，因此在使用過程...

研發進展IGBT（絕緣柵雙極晶體管）作為新型電力半導體場控自關斷器件，集功率MOSFET的高速性能與雙極性器件的低電阻于一體，具有輸進阻抗高，電壓控制功耗低，控制電路簡單，耐高壓，承受電流大等特性，在各種電力變換中獲得極廣泛的應用。與此同時，各大半導體生產廠商不斷開發IGBT的高耐壓、大電流、高速、低飽和壓降、高可靠、低本錢技術，主要采用1um以下制作工藝，研制開發取得一些新進展。1、低功率IGBTIGBT應用范圍一般都在600V、1KA、1KHz以上區域，為滿足家電行業的發...

富士功率模塊選型簡介一、PIM模塊為了降低變頻駱的成本，并減少變頻器的尺寸。寓士電機和歐派克采用PIM模塊結構。包括三相全波整流和6—7個IGBT。即變頻器的主回路全部安裝在一個模塊上，在小功率變頻器內（11KW以下）均用PIM模塊較為合算。富士電機現正常供貨的是S系列7個單元IGBT。在中國市場上己用了幾年時間。應用技術亦比較成熟。而U系列的PIM模塊供貨現尚在努力之中．現主要推出S系列五種型號——面向小功率變頻器。二、U系列IGBT模塊U系列為富士電機第五代IGBT模塊。...

IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、...